参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPA105N15N3 G |
说明 | 功率MOSFET 10.65mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1 |
最小包 | 500 |
现货 | 788 [库存更新时间:2025-04-12] |
通道数量 | 1Channel |
漏源极电压Vds | 150V |
连续漏极电流Id | 37A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.1mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 55nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 40.5W |
高度 | 16.15mm |
长度 | 10.65mm |
系列 | OptiMOS3 |
FET类型 | N-Channel |
宽度 | 4.85mm |
正向跨导 - 最小值 | 33S |
下降时间 | 9ns |
上升时间 | 20ns |
典型关闭延迟时间 | 35ns |
典型接通延迟时间 | 17ns |
工作温度 | -55°C~175°C |